Aluminium-Scandium als Bond-Pad-Chip-Metallisierung für den Kupferdraht-Bond-Prozess
Title:
Aluminium-Scandium als Bond-Pad-Chip-Metallisierung für den Kupferdraht-Bond-Prozess
Authors:
Abstract:
Dünne Schichten einer Aluminium-Scandium (AlSc) – Legierung mit Schichtdicken von 500 bis 3000 nm – wurden durch das PVD-Verfahren (Physical Vapour Deposition) auf oxydierte Si-Wafer abgeschieden, charakterisiert und durch Draht-Bonden mit Cu-Draht im Ball/Wedge-Verfahren getestet. Die äußerst feinkristallinen Schichten konnten mit 25 μm Kupferdraht im Ball/Wedge-Verfahren gebondet und das Splashing durch Bond-Parameteroptimierung auf Werte < 3 μm reduziert werden. Bei einer Verwendung von AlSc als Chip-Metallisierung im Cu-Ball/Wedge-Prozess kann der Pitch reduiert werden und zusätzliche OVP-Metallisierungen, z. B. aus Ni/Pd/Au (über Al), würden nicht mehr erforderlich sein.
Year:
2016
Publication type:
Journal article
Journal:
PLUS : Produktion von Leiterplatten und Systemen
ISSN:
2225-2231
Volume:
11
Pages:
2225-2231
Language:
German
Document status:
Published
PubListerURL:
https://publister.bib.th-wildau.de/publister/public/publication/2086
Geißler, U., Mukhopadhyay, B., & Stockmeyer, J. (2016). Aluminium-Scandium als Bond-Pad-Chip-Metallisierung für den Kupferdraht-Bond-Prozess PLUS : Produktion von Leiterplatten und Systemen. 11, 2225-2231.
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author = {Geißler, Ute and Mukhopadhyay, Biswajit and Stockmeyer, Janine},
title = {Aluminium-Scandium als Bond-Pad-Chip-Metallisierung für den Kupferdraht-Bond-Prozess},
journal = {PLUS : Produktion von Leiterplatten und Systemen},
year = {2016},
volume = {11},
pages = {2225-2231},
publisher = {Leuze},
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